MEMORIA 1024MB DDR B333
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DDR SDRAM es la abreviatura para Double
Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory
(Memoria de acceso aleatoria dinámica sincrónica de velocidad doble de
datos),
que normalmente se llama "Memoria DDR".
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Velocidad de Reloj: 166MHz
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Velocidad de Datos: 333MHz
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Ancho de Banda pico: 2,664MB/segundo o
2.7GB/segundo
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Nombre del Modulo: PC2700
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MEMORIA 128MB DIMM PC100
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MEMORIA 256MB DDR B400
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DDR SDRAM es la abreviatura para Double
Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory
(Memoria de acceso aleatoria dinámica sincrónica de velocidad doble de
datos),
que normalmente se llama "Memoria DDR".
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Velocidad de Reloj: 166MHz
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Velocidad de Datos: 333MHz
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Velocidad de Datos: 400MHz
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Ancho de Banda pico: 2,128MB/segundo o
3.2GB/segundo
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Nombre del Modulo: PC3200
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MEMORIA 256MB DDR2 B533
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DDR2 es la evolución de siguiente
generación de la tecnología de memoria DDR.
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La memoria DDR2 tiene velocidades mas
altas, anchos de banda de datos mas grandes,
menor consumo de energía y desempeño térmico mejorado.
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Operación de 1.8 Volts, lo que reduce el
consumo de energía en aproximadamente el 50 por ciento
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Terminación de señal de memoria dentro del
chip de la memoria ("Terminación en suaje" - ODT)
para evitar errores de transmisión de señal reflejada.
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Mejoras operacionales para incrementar el
desempeño, la eficiencia y los márgenes de tiempo de la memoria.
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Latencias CAS: 3, 4 y 5
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533MHZ.
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PC4200
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MEMORIA 512MB DDR B400
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DDR SDRAM es la abreviatura para Double
Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory
(Memoria de acceso aleatoria dinámica sincrónica de velocidad doble de
datos),
que normalmente se llama "Memoria DDR". Velocidad de Datos: 400MHz
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Ancho de Banda pico: 2,128MB/segundo o
3.2GB/segundo
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Nombre del Modulo: PC3200
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MEMORIA 512MB DDR2
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DDR2 es la evolución de siguiente
generación de la tecnología de memoria DDR.
-
La memoria DDR2 tiene velocidades mas
altas, anchos de banda de datos mas grandes,
menor consumo de energía y desempeño térmico mejorado.
-
Operación de 1.8 Volts, lo que reduce el
consumo de energía en aproximadamente el 50 por ciento
-
Terminación de señal de memoria dentro del
chip de la memoria ("Terminación en suaje" - ODT)
para evitar errores de transmisión de señal reflejada.
-
Mejoras operacionales para incrementar el
desempeño, la eficiencia y los márgenes de tiempo de la memoria.
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Latencias CAS: 3, 4 y 5
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400MHZ.
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PC4200
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